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西数首发96层堆栈UFS 2.1闪存:最大256GB,800MB/s速度

2018-10-13 07:41:52 | 来源:超能网 | 作者:孟宪瑞
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除了容量进步,今年的NAND闪存还会进入96层堆栈时代,西数日前宣布推出全球首个96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321,容量32GB到256GB,读取速度最大800MB/s,写入最高550MB/s。

 2018年NAND闪存价格下跌,智能手机的存储容量也越来越大,今年皇帝版手机容量提升到了512GB,锤子科技的坚果R1还首发了1TB存储,中低端手机容量也达到了64GB,128GB容量的手机也比比皆是。除了容量进步,今年的NAND闪存还会进入96层堆栈时代,西数日前宣布推出全球首个96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321,容量32GB到256GB,读取速度最大800MB/s,写入最高550MB/s。

西数的闪存源自被收购的闪迪,后者是跟东芝共同投资生产NAND闪存的,9月底双方投资的四日市Fab 6工厂启用,总投资5000亿日元,折合约45亿美元,落成后主要生产新一代3D NAND闪存,堆栈层数可达96层。此前东芝、西数也宣布了96层3D NAND闪存的出样,现在西数首发了业界第一款96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321。

西数官方公告中没有提到iNAND MC EU321是TLC闪存还是QLC闪存,考虑到最大容量才256GB以及QLC闪存的进度,iNAND MC EU321使用TLC类型的可能性还是最高的。

iNAND MC EU321容量涵盖32GB、64GB、128GB及256GB,UFS 2.1 HS-G3标准,封装尺寸为11.5x13x1.0mm。性能方面,连续读取可达800MB/s,连续写入550MB/s,随机写入52K IOPS,随机读取50K IOPS,写入性能号称比前代提升10%。

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